《東方看點(diǎn)｜存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，半導(dǎo)體有望進(jìn)入復(fù)蘇階段》

隨著近日原廠財(cái)報(bào)披露以及最新合約價(jià)釋出，原廠表露強(qiáng)勢(shì)漲價(jià)的態(tài)度，引領(lǐng)四季度存儲(chǔ)價(jià)格上揚(yáng)。本周上游資源繼續(xù)保持漲價(jià)趨勢(shì)，1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLC NAND Flash Wafer價(jià)格分別漲至3.70/4.30/2.25/1.30美元，DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT價(jià)格分別為2.78/2.35/1.40/1.25/0.80美元（數(shù)據(jù)來(lái)源：ChinaFlashMaket）。

東方基金權(quán)益研究部認(rèn)為，近兩年原廠整體放緩了技術(shù)升級(jí)的步伐，但高容量高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求尤為突出，長(zhǎng)期來(lái)看NAND仍會(huì)向高密度高性能低成本的大方向發(fā)展。而目前原廠部分舊制程產(chǎn)品的產(chǎn)能和供應(yīng)有限，加上原廠順勢(shì)推進(jìn)先進(jìn)制程的切換，部分舊制程產(chǎn)品供應(yīng)預(yù)計(jì)會(huì)持續(xù)緊張。隨著現(xiàn)貨市場(chǎng)低價(jià)庫(kù)存陸續(xù)消耗，下游廠商滾動(dòng)成本上升，有可能推動(dòng)現(xiàn)貨成品端價(jià)格走高。存儲(chǔ)作為半導(dǎo)體中的標(biāo)準(zhǔn)品，通常是行業(yè)景氣度的先行指標(biāo)，有望引領(lǐng)半導(dǎo)體進(jìn)入復(fù)蘇階段。

市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。